電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)匯編GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：

　　內(nèi)容：

　　電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)匯編

　　一、GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：

　　6GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則：碰撞

　　7GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)

　　8GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ed:自由跌落

　　9GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕熱

　　10GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(正弦)

　　11GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求

　　12GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性

　　13GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdb:寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性

　　14GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdc:寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性

　　15GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度

　　1GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

　　2GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

　　3GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法

　　4GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法

　　21GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M:低氣壓試驗(yàn)方法

　　22GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化

　　23GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封

　　24GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Sa:模擬地面上的太陽輻射

　　25GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM:低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

　　26GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM:高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

　　27GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法

　　28GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法

　　29GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度

　　30GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬

　　31GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法

　　32GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法

　　33GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法

　　34GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法

　　5GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊

　　16GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長霉

　　17GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka:鹽霧試驗(yàn)方法

　　18GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧,交變(氯化鈉溶液)

　　19GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法

　　20GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法